SCTWA30N120
מספר מוצר של יצרן:

SCTWA30N120

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

SCTWA30N120-DG

תיאור:

IC POWER MOSFET 1200V HIP247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads

מלאי:

294 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876463
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SCTWA30N120 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA (Typ)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1700 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
270W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 200°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
HiP247™ Long Leads
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SCTWA30

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
-1138-SCTWA30N120
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STB200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

stmicroelectronics

STL33N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV

stmicroelectronics

STP2NK60Z

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB

stmicroelectronics

STFU24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP