מספר מוצר של יצרן:
SCTWA30N120
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
SCTWA30N120-DG
תיאור:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
מלאי:
294 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876463
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCTWA30N120 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA (Typ)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1700 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
270W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 200°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
HiP247™ Long Leads
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SCTWA30
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-1138-SCTWA30N120
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
STL33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
STP2NK60Z
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
