מספר מוצר של יצרן:
SCT012H90G3AG
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT012H90G3AG-DG
תיאור:
H2PAK-7
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 110A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
מלאי:
13269619
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT012H90G3AG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
110A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.8mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.2V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
138 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+18V, -5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3880 pF @ 600 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
625W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
H2PAK-7
חבילה / מארז
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
מידע נוסף
שמות אחרים
497-SCT012H90G3AGTR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים