מספר מוצר של יצרן:
2N6660
Product Overview
יצרן:
Solid State Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
2N6660-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
מלאי:
3575 יחידות חדשות מק originales במלאי
12974056
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N6660 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Manufacturers
אריזות
Box
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±40V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-39
חבילה / מארז
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2383-2N6660
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
