מספר מוצר של יצרן:
S2M0080120K
Product Overview
יצרן:
SMC Diode Solutions
DiGi Electronics מספר חלק:
S2M0080120K-DG
תיאור:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-4
מלאי:
260 יחידות חדשות מק originales במלאי
12988764
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
S2M0080120K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
SMC Diode Solutions
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
41A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
54 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
231W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1655-S2M0080120K
-1765-S2M0080120K
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
STD20NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
MCACL110N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
