מספר מוצר של יצרן:
SMA5112
Product Overview
יצרן:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
SMA5112-DG
תיאור:
MOSFET 6N-CH 250V 7A 12SIP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
מלאי:
13565112
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SMA5112 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Sanken Electric Co., Ltd.
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
450pF @ 10V
הספק - מקס'
4W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
12-SIP
חבילת מכשירים לספקים
12-SIP
מספר מוצר בסיסי
SMA51
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SMA5112 DK
חבילה סטנדרטית
180
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SLA5073
MOSFET 6N-CH 60V 5A 15ZIP
SLA5068 LF853
MOSFET 6N-CH 60V 7A 15SIP
SLA5085
MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP