מספר מוצר של יצרן:
US6M1TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
US6M1TR-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
מלאי:
11980 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526032
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
US6M1TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V, 20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.4A, 1A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
70pF @ 10V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
חבילת מכשירים לספקים
TUMT6
מספר מוצר בסיסי
US6M1
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
US6M1DKR
US6M1CT
Q5785284
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
