מספר מוצר של יצרן:
US6K1TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
US6K1TR-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
מלאי:
25043 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525875
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
US6K1TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
80pF @ 10V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
חבילת מכשירים לספקים
TUMT6
מספר מוצר בסיסי
US6K1
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
US6K1CT
US6K1DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
US6K4TR
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
QH8MA4TCR
MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
UM6K31NFHATCN
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6