מספר מוצר של יצרן:
TT8J21TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
TT8J21TR-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 2.5A 650mW Surface Mount 8-TSST
מלאי:
3027 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526826
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TT8J21TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1270pF @ 10V
הספק - מקס'
650mW
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
8-TSST
מספר מוצר בסיסי
TT8J21
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
מידע נוסף
שמות אחרים
TT8J21CT
TT8J21DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTHD4102PT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NTHD4102PT1G-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
QS6M4TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
SP8M5FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SH8KA4TB
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP