מספר מוצר של יצרן:
SP8M51FRATB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SP8M51FRATB-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
מלאי:
13526471
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SP8M51FRATB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP
מספר מוצר בסיסי
SP8M51
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP8M51FRATBCT
SP8M51FRATBTR
SP8M51FRATBDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SP8M51HZGTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1068
DiGi מספר חלק
SP8M51HZGTB-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SH8KA2GZETB
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
SP8K32FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP