מספר מוצר של יצרן:
SP8M3FU7TB1
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SP8M3FU7TB1-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 4.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
מלאי:
12929787
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SP8M3FU7TB1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta), 4.5A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
230pF @ 10V, 850pF @ 10V
הספק - מקס'
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP
מספר מוצר בסיסי
SP8M3
מידע נוסף
שמות אחרים
846-SP8M3FU7TB1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SH8MA3TB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
19709
DiGi מספר חלק
SH8MA3TB1-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
SP8K3FD5TB1
MOSFET 2N-CH 30V 8SOP