מספר מוצר של יצרן:
SH8J62TB1
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SH8J62TB1-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
מלאי:
10202 יחידות חדשות מק originales במלאי
13527148
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SH8J62TB1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800pF @ 10V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP
מספר מוצר בסיסי
SH8J62
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SH8J62TB1TR
SH8J62TB1DKR
SH8J62TB1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
UT6K30TCR
MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
SH8K4TB1
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
VT6K1T2CR
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
