מספר מוצר של יצרן:
SCT3160KLHRC11
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT3160KLHRC11-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
מלאי:
669 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526232
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT3160KLHRC11 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.6V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
398 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
103W
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247N
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SCT3160
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RQ5C030TPTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
RSD046P05TL
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
RK7002BT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
