מספר מוצר של יצרן:
SCT3060ALGC11
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT3060ALGC11-DG
תיאור:
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
מלאי:
13525606
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT3060ALGC11 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.6V @ 6.67mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
58 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
852 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
165W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247N
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SCT3060
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFX64N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
911
DiGi מספר חלק
IXFX64N60P-DG
מחיר ליחידה
13.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW60R080P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
423
DiGi מספר חלק
IPW60R080P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.60
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFX80N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
3
DiGi מספר חלק
IXFX80N60P3-DG
מחיר ליחידה
11.27
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCH072N60F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
23880
DiGi מספר חלק
FCH072N60F-DG
מחיר ליחידה
4.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
MSC060SMA070B
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
26
DiGi מספר חלק
MSC060SMA070B-DG
מחיר ליחידה
6.90
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RSF015N06FRATL
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
RZR040P01TL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RSS120N03TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
