מספר מוצר של יצרן:
SCT3017ALHRC11
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT3017ALHRC11-DG
תיאור:
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 118A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
מלאי:
1106 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525559
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT3017ALHRC11 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
118A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22.1mOhm @ 47A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.6V @ 23.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
172 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2884 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
427W
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247N
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SCT3017
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
450
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RUR020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
RD3H160SPTL1
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
RSS070P05FU6TB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP