RX3G07CGNC16
מספר מוצר של יצרן:

RX3G07CGNC16

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

RX3G07CGNC16-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

12948539
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RX3G07CGNC16 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.7mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2410 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
RX3G07

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
846-RX3G07CGNC16
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
rohm-semi

RV4E031RPHZGTCR1

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

stmicroelectronics

STL66N3LLH5

MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT

epc

EPC2219

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

epc

EPC2055

GANFET N-CH 40V 29A DIE