מספר מוצר של יצרן:
RT1A050ZPTR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RT1A050ZPTR-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
מלאי:
7984 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526544
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RT1A050ZPTR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSST
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
מספר מוצר בסיסי
RT1A050
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
מידע נוסף
שמות אחרים
RT1A050ZPDKR
RT1A050ZPCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RV2C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
RJU002N06FRAT106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
R6011ENX
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
