מספר מוצר של יצרן:
RS3E130ATTB1
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RS3E130ATTB1-DG
תיאור:
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
מלאי:
4956 יחידות חדשות מק originales במלאי
12975350
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RS3E130ATTB1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3730 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.4W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
RS3E
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-RS3E130ATTB1DKR
846-RS3E130ATTB1TR
846-RS3E130ATTB1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MSJB17N80-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
PH5830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
