בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
RS1E320GNTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RS1E320GNTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 38A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
13527229
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RS1E320GNTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Ta), 80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2850 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 34W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
RS1E
מידע נוסף
שמות אחרים
RS1E320GNTBCT
RS1E320GNTBTR
RS1E320GNTBDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMC7660S
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
9685
DiGi מספר חלק
FDMC7660S-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
BSC020N03MSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
32523
DiGi מספר חלק
BSC020N03MSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
Similar
מספר חלק
BSC0902NSATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8545
DiGi מספר חלק
BSC0902NSATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
R6015KNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
RSJ400N06TL
MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
RD3L220SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 22A TO252