מספר מוצר של יצרן:
RS1E200BNTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RS1E200BNTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
13525409
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RS1E200BNTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Ta), 68A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
59 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
RS1E
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RS1E200BNTBTR
RS1E200BNTBDKR
RS1E200BNTBCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC042N03LSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
11717
DiGi מספר חלק
BSC042N03LSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFHM830TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8408
DiGi מספר חלק
IRFHM830TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.31
סוג משאב
Direct
מספר חלק
BSC0906NSATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
10842
DiGi מספר חלק
BSC0906NSATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
CSD17577Q5A
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
14744
DiGi מספר חלק
CSD17577Q5A-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RT1C060UNTR
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
