מספר מוצר של יצרן:
RQ3L090GNTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RQ3L090GNTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
מלאי:
17700 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525967
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RQ3L090GNTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.9mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1260 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSMT (3.2x3)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
RQ3L090
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RQ3L090GNTBDKR
RQ3L090GNTBCT
RQ3L090GNTBTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
R6020ANZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
RAQ045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6