מספר מוצר של יצרן:
RQ3E070BNTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RQ3E070BNTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
מלאי:
6697 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525893
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RQ3E070BNTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
27mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
410 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSMT (3.2x3)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
RQ3E070
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RQ3E070BNTBDKR
RQ3E070BNTBCT
RQ3E070BNTBTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6020ANJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
R6004ENJTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS