מספר מוצר של יצרן:
RP1A090ZPTR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RP1A090ZPTR-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
מלאי:
13525826
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RP1A090ZPTR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
59 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7400 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MPT6
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
RP1A090
מידע נוסף
שמות אחרים
RP1A090ZPDKR
RP1A090ZPCT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RTR030N05TL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
RQ6E035SPTR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RQ1A060ZPTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
