מספר מוצר של יצרן:
RF6E065BNTCR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RF6E065BNTCR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6
מלאי:
13527400
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RF6E065BNTCR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
680 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
910mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TUMT6
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
RF6E065
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RF6E065BNTCRTR
RF6E065BNTCRDKR
RF6E065BNTCRCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
RCX160N20
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
R6030KNXC7
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
