מספר מוצר של יצרן:
RF4L055GNTCR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RF4L055GNTCR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
מלאי:
15176 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525058
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RF4L055GNTCR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
HUML2020L8
חבילה / מארז
8-PowerUDFN
מספר מוצר בסיסי
RF4L055
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RF4L055GNTCRCT
RF4L055GNTCRDKR
RF4L055GNTCRTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6030JNZC8
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
RSH065N06TB1
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
RRH075P03TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
