מספר מוצר של יצרן:
RD3G03BBGTL1
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RD3G03BBGTL1-DG
תיאור:
NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
2442 יחידות חדשות מק originales במלאי
12994150
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RD3G03BBGTL1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1170 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-RD3G03BBGTL1DKR
846-RD3G03BBGTL1CT
846-RD3G03BBGTL1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STWA60N043DM9
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
MCU20N10A-TP-HF
Interface
NTTFSS1D1N02P1E
25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
