מספר מוצר של יצרן:
R6507KND3TL1
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6507KND3TL1-DG
תיאור:
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
2478 יחידות חדשות מק originales במלאי
12967356
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6507KND3TL1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
470 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
R6507
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6507KND3TL1DKR
846-R6507KND3TL1TR
846-R6507KND3TL1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
R6507KNXC7G
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
RX3L07BGNC16
NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
