R6077VNZC17
מספר מוצר של יצרן:

R6077VNZC17

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

R6077VNZC17-DG

תיאור:

600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

מלאי:

420 יחידות חדשות מק originales במלאי
12991434
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

R6077VNZC17 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
51mOhm @ 23A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
108 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5200 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
113W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PF
חבילה / מארז
TO-3P-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
R6077

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
846-R6077VNZC17
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
utd-semiconductor

1N60G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2304A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

utd-semiconductor

1N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET

utd-semiconductor

1N65L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET