מספר מוצר של יצרן:
R6055VNZC17
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6055VNZC17-DG
תיאור:
600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-3PF
מלאי:
420 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001702
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6055VNZC17 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
71mOhm @ 16A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3700 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
99W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PF
חבילה / מארז
TO-3P-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
R6055VN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6055VNZC17
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EPC2307ENGRT
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
MCG10P03-TP
MOSFET P-CHANNEL MOSFET
MSC015SMA070J
MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227
