מספר מוצר של יצרן:
R6030ENZ4C13
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6030ENZ4C13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
19 יחידות חדשות מק originales במלאי
12851269
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6030ENZ4C13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
305W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
R6030
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6030ENZ4C13
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
IPD60R600P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
FDC654P
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
