מספר מוצר של יצרן:
R6027YNXC7G
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6027YNXC7G-DG
תיאור:
NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220FM
מלאי:
1000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13002579
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6027YNXC7G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
135mOhm @ 7A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FM
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6027YNXC7G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IQE220N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100V
IAUTN12S5N018TATMA1
MOSFET_(120V 300V)
DMP3021SPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
