מספר מוצר של יצרן:
R6012JNJGTL
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6012JNJGTL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LPTS
מלאי:
1800 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526116
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6012JNJGTL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 6A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
7V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LPTS
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
R6012
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
R6012JNJGTLDKR
R6012JNJGTLCT
R6012JNJGTLTR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6030KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
RW1A013ZPT2R
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
R6004JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM