בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
R6009ENX
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6009ENX-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
מלאי:
395 יחידות חדשות מק originales במלאי
13524402
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6009ENX מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FM
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
R6009
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
R6009ENX
מידע נוסף
שמות אחרים
R6009ENXCT
R6009ENXCT-ND
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPA11N80C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2180
DiGi מספר חלק
SPA11N80C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCPF600N60Z
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
171833
DiGi מספר חלק
FCPF600N60Z-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF11N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2966
DiGi מספר חלק
STF11N60DM2-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPA70R450P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
IPA70R450P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK8A60W,S4VX
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
48
DiGi מספר חלק
TK8A60W,S4VX-DG
מחיר ליחידה
1.06
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RSH100N03TB1
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
RTR020N05TL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
R6076MNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
RS1E321GNTB1
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP