QS8M51TR
מספר מוצר של יצרן:

QS8M51TR

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

QS8M51TR-DG

תיאור:

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8

מלאי:

35316 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525173
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

QS8M51TR מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A, 1.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
325mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.7nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
290pF @ 25V, 950pF @ 25V
הספק - מקס'
1.5W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
TSMT8
מספר מוצר בסיסי
QS8M51

דף נתונים ומסמכים

מסמכי אמינות
TSMT8 MOS Reliability Test
משאבי עיצוב
TSMT8D Inner Structure
גליונות נתונים
QS8M51TR TSMT8 TR Taping Spec

מידע נוסף

שמות אחרים
QS8M51DKR
QS8M51CT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
rohm-semi

UM6K33NTN

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

rohm-semi

UM5K1NTR

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT5

rohm-semi

QS8J11TCR

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

rohm-semi

SP8K24FRATB

MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOP