מספר מוצר של יצרן:
QS8M31TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
QS8M31TR-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
מלאי:
3630 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526109
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
QS8M31TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
הספק - מקס'
1.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
TSMT8
מספר מוצר בסיסי
QS8M31
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
QS8M31DKR
QS8M31CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
