מספר מוצר של יצרן:
QS5U13TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
QS5U13TR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
מלאי:
2999 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525925
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
QS5U13TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.9 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
175 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TSMT5
חבילה / מארז
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
מספר מוצר בסיסי
QS5U13
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
QS5U13DKR
QS5U13CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
QS5U12TR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2608
DiGi מספר חלק
QS5U12TR-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
RD3H080SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
