מספר מוצר של יצרן:
QH8MA2TCR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
QH8MA2TCR-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
מלאי:
1528 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526190
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
QH8MA2TCR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A, 3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.4nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
365pF @ 10V
הספק - מקס'
1.25W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
TSMT8
מספר מוצר בסיסי
QH8MA2
דף נתונים ומסמכים
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
QH8MA2TCRTR
QH8MA2TCRCT
QH8MA2TCRDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
