מספר מוצר של יצרן:
EMB18T2R
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
EMB18T2R-DG
תיאור:
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
מלאי:
12995534
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EMB18T2R מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
22kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
-
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
100 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
150mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
EMT6
מספר מוצר בסיסי
EMB18
מידע נוסף
שמות אחרים
846-EMB18T2RTR
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN4905,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
RN4984,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
RN4991FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10