מספר מוצר של יצרן:
BSM600C12P3G201
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
BSM600C12P3G201-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module
מלאי:
13520679
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSM600C12P3G201 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tray
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
600A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.6V @ 182mA
VGS (מקס')
+22V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
28000 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2460W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
Module
חבילה / מארז
Module
מספר מוצר בסיסי
BSM600
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
4
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ES6U2T2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
ES6U41T2R
MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
2SK2463T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
