מספר מוצר של יצרן:
BSM180C12P3C202
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
BSM180C12P3C202-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
מלאי:
11 יחידות חדשות מק originales במלאי
12937633
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSM180C12P3C202 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.6V @ 50mA
VGS (מקס')
+22V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9000 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
880W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
Module
חבילה / מארז
Module
מספר מוצר בסיסי
BSM180
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-BSM180C12P3C202
חבילה סטנדרטית
12
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SJ143(6)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
2SK515-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
