מספר מוצר של יצרן:
BSM180C12P2E202
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
BSM180C12P2E202-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
מלאי:
4 יחידות חדשות מק originales במלאי
13521329
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSM180C12P2E202 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tray
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
204A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 35.2mA
VGS (מקס')
+22V, -6V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
20000 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
Module
חבילה / מארז
Module
מספר מוצר בסיסי
BSM180
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
4
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3018T106
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
2SK2094TL
MOSFET N-CH 60V 2A CPT3
