UPA2815T1S-E2-AT
מספר מוצר של יצרן:

UPA2815T1S-E2-AT

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

UPA2815T1S-E2-AT-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 21A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)

מלאי:

10000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12858118
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

UPA2815T1S-E2-AT מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1760 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HWSON (3.3x3.3)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
UPA2815

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

NVTFS5C478NLWFTAG

MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN

onsemi

NTD70N03R

MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK

onsemi

NTMFS6B05NT3G

MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN

onsemi

NDS356P

MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3