UPA2600T1R-E2-AX
מספר מוצר של יצרן:

UPA2600T1R-E2-AX

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

UPA2600T1R-E2-AX-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 7A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)

מלאי:

12863243
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

UPA2600T1R-E2-AX מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
870 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.4W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-HUSON (2x2)
חבילה / מארז
6-WFDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
UPA2600

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFD9123

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

vishay-siliconix

IRFI624GPBF

MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220-3

renesas-electronics-america

RJK5002DPD-00#J2

MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A