מספר מוצר של יצרן:
NP90N055NUK-S18-AY
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
NP90N055NUK-S18-AY-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 90A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-262-3
מלאי:
12861091
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NP90N055NUK-S18-AY מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
NP90N055
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NP74N04YUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
2SK1518-E
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
NP50P03YDG-E1-AY
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
