NP80N055MHE-S18-AY
מספר מוצר של יצרן:

NP80N055MHE-S18-AY

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

NP80N055MHE-S18-AY-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

12860198
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

NP80N055MHE-S18-AY מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
1

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
STP80NF55-08
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
48
DiGi מספר חלק
STP80NF55-08-DG
מחיר ליחידה
1.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

ZSPM9000AI1R

MOSFET N-CH

onsemi

NTMFS5C410NLTT3G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

panasonic

FK3506010L

MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3