מספר מוצר של יצרן:

NP160N055TUJ-E1-AY

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

NP160N055TUJ-E1-AY-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 55V 160A TO263-7

תיאור מפורט:

N-Channel 55 V 160A (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12855552

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NP160N055TUJ-E1-AY מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Renesas Electronics Corporation

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

55 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

160A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

180 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

10350 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.8W (Ta), 250W (Tc)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263-7

חבילה / מארז

TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

NP160N055TUJ-E1-AYDKR

NP160N055TUJ-E1-AYCT

NP160N055TUJ-E1-AY-DG

NP160N055TUJ-E1-AYTR

NP160N055TUJE1AY

חבילה סטנדרטית

800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

SPP16N50C3HKSA1

MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3

onsemi

NTD5C668NLT4G

MOSFET N-CH 60V 15A/48A DPAK

onsemi

NTMFS4833NT3G

MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN

renesas-electronics-america

RJK5030DPD-02#J2

MOSFET N-CH 500V 5A MP3A