N0604N-S19-AY
מספר מוצר של יצרן:

N0604N-S19-AY

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

N0604N-S19-AY-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 82A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 82A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

מלאי:

3990 יחידות חדשות מק originales במלאי
12859401
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

N0604N-S19-AY מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
82A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
75 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Isolated Tab
חבילה / מארז
TO-220-3 Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
N0604N-S19

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
-1161-N0604N-S19-AY
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

NTD3055L104T4G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

onsemi

NTD30N02G

MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

onsemi

NTD5406NT4G

MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK

onsemi

NVMFS5C670NLWFAFT3G

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN