מספר מוצר של יצרן:
N0434N-S23-AY
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
N0434N-S23-AY-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 100A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
2975 יחידות חדשות מק originales במלאי
12857670
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
N0434N-S23-AY מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta), 119W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
N0434N-S23
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-1161-N0434N-S23-AYCT
-1161-N0434N-S23-AYCT-DG
559-N0434N-S23-AY
-1161-N0434N-S23-AY
N0434N-S23-AY-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTD85N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
NVMFS6H858NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
FK8V03040L
MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1
