מספר מוצר של יצרן:
HAT2299WP-EL-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
HAT2299WP-EL-E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 14A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
מלאי:
12860580
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HAT2299WP-EL-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
710 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-WPAK (3)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
HAT2299
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMC86244
יצרן
onsemi
כמות זמינה
9494
DiGi מספר חלק
FDMC86244-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
TRANSISTOR
RJK0355DSP-00#J0
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
NTMFS5H600NLT3G
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
