מספר מוצר של יצרן:
HAT2185WPWS-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
HAT2185WPWS-E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
מלאי:
12853363
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HAT2185WPWS-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-WPAK (3)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MMBF170LT3G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
MMSF7P03HDR2
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
BUK7M45-40EX
MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
