מספר מוצר של יצרן:
HAT2165H-EL-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
HAT2165H-EL-E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
מלאי:
12860961
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HAT2165H-EL-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
55A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5180 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LFPAK
חבילה / מארז
SC-100, SOT-669
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
HAT2165H-EL-EDKR
HAT2165H-EL-ECT
HAT2165H-EL-ETR
HAT2165H-EL-E-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN3R0-30YLDX
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
33235
DiGi מספר חלק
PSMN3R0-30YLDX-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN9R1-30YL,115
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
2994
DiGi מספר חלק
PSMN9R1-30YL,115-DG
מחיר ליחידה
0.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN1R2-25YL,115
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
16330
DiGi מספר חלק
PSMN1R2-25YL,115-DG
מחיר ליחידה
1.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN1R3-30YL,115
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
11738
DiGi מספר חלק
PSMN1R3-30YL,115-DG
מחיר ליחידה
1.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NP109N04PUJ-E2B-AY
TRANSISTOR
RJK1053DPB-00#J5
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
NVD3055-150T4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
